"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Осцилляции баллистического тока дырок через одноосно-сжатые полупроводниковые слои
Вагидов Н.З.1, Грибников З.С.1, Коршак А.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Теоретически рассмотрены колебания баллистического тока дырок через тонкую базу p+pp+-диода, одноосно-сжатую в направлении тока. Вследствие сжатия закон дисперсии дырок содержит участок с отрицательной эффективной массой вдоль указанного направления. Причиной токовых колебаний является неустойчивость стационарного распределения баллистических носителей тока, содержащего обширную квазинейтральную плазменную область, в которой подвижная компонента зарядов как раз и представлена дрейфующими носителями с отрицательной эффективной массой. Во многих случаях токовые колебания имеют гармоничный характер, причем их частота определяется длиной базы и напряжением, составляя сотни ГГц для длинных (~ 1 мкм) слабо легированных баз и несколько ТГц для коротких (<0.1 мкм) сильно легированных баз. Найдены критерии квазиклассического подхода к задаче, который был применен при численном моделировании колебательных процессов, описанных здесь. Этот подход оказывается обоснованным, если инжектированные баллистически носители распределены в достаточно широкой полосе поперечных импульсов.
  1. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  2. Н.З. Вагидов, З.С. Грибников, А.Н. Коршак. Письма ЖЭТФ, 61, 38 (1995)
  3. Н.З. Вагидов, З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 29, 1944 (1995).
  4. N.Z. Vagidov, Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed. by K. Hess, J.-P. Leburton, U. Ravaioli (N. Y., Plenum Press, 1995)
  5. A.N. Korshak, Z.S. Gribnikov, N.Z. Vagidov. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed. by K. Hess, J.-P. Leburton, U. Ravaioli (N. Y., Plenum Press, 1995).
  6. Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, N.Z. Vagidov. Lithuanian J. Phys., 35, 495 (1995). Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, N.Z. Vagidov, V.V. Mitin. Proc. 1995 Int. Semicond. Dev. Research. Symp. (Charlottesville, 1995) p. 451
  7. Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, N.Z. Vagidov. J. Appl. Phys
  8. J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102, 1030 (1956)
  9. M. Heiblum, K. Seo, H.P. Meier, T.W. Hickmott. Phys. Rev. Lett., 60, 828 (1988)
  10. З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 28, 1445 (1994).
  11. Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak. In.: Quantum Confinement. Physics and Application (San-Francisko, Electrochem. Soc. Inc., 1994) p. 34.
  12. В.Я. Алешкин, Ю.А. Романов. ЖЭТФ, 87, 1857 (1984)
  13. В.Я. Алешкин, Ю.А. Романов. ФТП, 20, 281 (1986)
  14. A. Dargys, A.F. Rudolph. Phys. St. Sol. (b), 135, 437 (1986)
  15. A. Dargys, A.F. Rudolph. Phys. St. Sol. (b), 140, 535 (1987)
  16. A. Dargys. Phys. St. Sol. (b), 143, 675 (1987)
  17. J.-B. Xia. Phys. Rev. B, 38, 8365 (1988)
  18. D. Ahn, S.-L. Chuang. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 2400 (1988)
  19. S.-L. Chuang. Phys. Rev. B, 40, 10379 (1989)
  20. C.Y.-P. Chao, S.-L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 7027 (1991)
  21. J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
  22. D.A. Broido, L.J. Sham. Phys. Rev. B, 31, 888 (1985)
  23. A. Twardowski, C. Herman. Phys. Rev. B, 35, 8144 (1987)
  24. G. Shechter, L.D. Shvartsman, J.E. Golub. Phys. Rev. B, 51, 10857 (1995)
  25. В.И. Рыжий, Н.А. Баннов, В.А. Федирко. ФТП, 18, 769 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.