"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства бесщелевого CdxHg1-xTe в инфракрасной и миллиметровой области спектра излучения при раскрытии энергетической щели
Гасан-заде С.Г.1, Сальков Е.А.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

В бесщелевом полупроводнике CdxHg1-xTe (x=0.04-0.16) получены магнитополевые и деформационные зависимости фотоэлектрических, фотомагнитных, а также фототермомагнитных характеристик при раскрытии энергетической щели. При возбуждении ИК излучением обнаруживается резкий рост фотосигнала с увеличением магнитного поля либо одноосной упругой деформации. В области квантового предела проявляются осцилляции большой амплитуды, связанные с участием в рекомбинации продольных оптических фононов. В миллиметровой области спектра проявляется гигантская осцилляция фотоотклика, связанная с изменением концентрации электронов. Последнее подтверждается полевой зависимостью фотоэффекта Холла. Показано, что фототермомагнитный эффект является дифференциальным сигналом по отношению к сигналу фотопроводимости.
  1. R. Dornhaus, G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow-Gap Semiconductors (Berlin, Heidelberg, N.Y., Tokio: Springer Verlag, 1985).
  2. С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 39, 553 (1984)
  3. Ю.Г. Арапов, А.Б. Давыдов, Г.Л. Штрапенин. ФТП, 18, 1185 (1984)
  4. Ю.Н. Гаврилюк, С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 13, 1640 (1979); S.G. Gasan-zade, E.A. Sal'kov, G.A. Shepelsky. Digest of 2nd Int. Conf. on Millimeter Wave and Far-Infrared Technology (Beijing, China, 1992) p. 278
  5. I.M. Tsidilkovski, G.I. Harus, N.G. Shelushinina. Adv. Phys., 34, 43 (1985)
  6. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., 1972)
  7. Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 45, 100 (1989)
  8. А.В. Германенко, Г.М. Миньков, Е.Л. Румянцев, О.Е. Рут. ЖЭТФ, 97, 242 (1988)
  9. Н.С. Барышев. Матер. IV Всес. симп. "Полуметаллы и полупроводники с узкой запрещенной зоной" (Львов, 1975) ч. 5, с. 7
  10. Р.И. Лягущенко, Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, С.С. Шалыт, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 10, 2241 (1968)
  11. С.Д. Лазарев, Г.А. Шепельский, Г.Д. Ефремова. ФТТ, 12, 1718 (1970)
  12. Ю.Н. Гаврилюк, С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 11, 1571 (1977)
  13. Ш.М. Коган. ФТТ 4, 1891 (1962)
  14. А.А. Маненков, Г.Н. Михайлова, А.С. Сеферов, В.Д. Чернецкий. ФТТ, 16, 2719 (1974)
  15. А.Н. Выставкин, Ш.М. Коган, Т.М. Лифшиц, П.Г. Мельник. Радиотехника и электроника, 8, 994 (1963)
  16. V.A. Pogrebnyak, D.D. Khalamwida, V.V. Yakovenko. Sol. St. Commun, 68, 891 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.