"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переходные ионные процессы в диэлектрическом слое с ловушками
Гольдман Е.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 14 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Построена теория переходных ионных процессов в диэлектрическом слое с однородным распределением ловушек по объему. Показано, что свободные ионы, сосредоточенные у поверхности, оказываются заключенными в потенциальную яму, обусловленную отталкиванием от носителей заряда, захваченных на ловушки. В этой связи энергия активации тока свободных ионов больше, чем энергия активации подвижности, и уменьшается с ростом напряжения, а опустошение ловушек происходит с запаздыванием. Температурная зависимость тока деполяризации содержит два или три пика, положение и форма которых изменяются с напряжением. Отличительной особенностью перетекания ионов по изолятору с ловушками является "память" об электрическом поле, прижимавшем носители заряда к поверхности до начала переходного процесса.
  1. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  2. M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  3. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
  4. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 51, 4269 (1980)
  5. А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
  6. К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М. Мир, 1994) т. 2, с. 56
  7. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.Н. Пономарев. ФТП, 28, 1947 (1994)
  8. R. Chen, Y. Kirsh. Analysis of Thermally Stimulated Processes; Science of the Solid State (N.Y., Pergamon, 1981) v. 15

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.