Эпитаксиальные пленки ZnSe на GaAs (100) были выращены методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии с использованием источника УРС-55а (излучение Cu_Kalpha; lambda=1.542 Angstrem; P~1-3 мВт/см²) из порошкового сырья в токе очищенного водорода. Исследованы различия в спектрах фотолюминесценции и экситонного отражения монокристаллических пленок ZnSe на GaAs (100) при T=4.5 K, испытывающих деформацию сжатия и выращенных методами рентгеностимулированной газофазной эпитаксии и обычной газофазной эпитаксии. Полученные результаты указывают на улучшение кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полученного методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии. Это подтверждается и данными ретгенодифракционного анализа. Обнаруженные эффекты объясняются рентгеноактивационными процессами адсорбции и десорбции, изменением проверхностной подвижности адсорбированных атомов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.