Теоретически исследовано влияние туннельной прозрачности диэлектрического слоя T_n,p на распределение электрического поля и зависимость ток-интенсивность j-I_i в чистой высокоомной сильно смещенной структуре металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик металл (МДПДМ). Показано, что с уменьшением T_n,p носители аккумулируются вблизи электродов противоположной полярности, и их плотность резко возрастает в слоях толщиной порядка l_k=kT/eE_e (E_e=V/d). Определена область параметров, в которой эффекты аккумуляции столь велики, что поле вблизи электродов заметно растет, и его значения существенно превышают среднее поле. Зависимость тока от прозрачности определяется барьером Шоттки. При умеренных полях, если фототок много больше темнового, плотность тока с уменьшением T_n,p слабо растет, стремясь к максимальному значению eI_i. При сильных полях ток резко растет из-за инжекции носителей через пониженный потенциальный барьер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.