"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Gamma X-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния на междолинных фононах
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.

Рассчитан коэффициент прохождения Gamma-электронов, падающих на резкую гетерограницу, пройдя которую они становятся X-электронами. Этот переход может быть как бесфононным, так и с приграничным поглощением или испусканием междолинного фонона. В последних случаях расчет может быть выполнен в рамках метода эффективной массы; результаты такого расчета показывают, что вклад этого процесса как качественно (энергетические и температурные зависимости), так и количественно близок к бесфононному вкладу. Бесфононный вклад учтен на основе полуфеноменологической модели, удовлетворительно подтверждаемой микротеорией. Gamma X-переход в реальном пространстве может быть эффективен в приборах с N-ОДП. Обсуждены способы экспериментального разделения вкладов от указанных выше механизмов Gamma X-переноса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.