Теоретически и экспериментально исследовано новое явление - спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника. Такое эхо возникает в системе оптически ориентированных по спину электронов в варизонном полупроводнике p-типа, в котором g-фактор электронов линейно зависит от координаты x в направлении градиента ширины запретной зоны nabla E_g и на некотором расстоянии от широкозонной поверхности в точке x₀ изменяет знак. Полупроводник находится в однородном постоянном магнитном поле H, перпендикулярном nabla E_g. Электроны, ориентированные по спину, генерируются на широкозонной поверхности полупроводника и дрейфуют в варизонном поле; при этом их спины прецессируют в магнитном поле. Эффект спинового эха заключается в том, что в точке x_e=2x₀ ориентация электронных спинов всегда независимо от величины магнитного поля оказывается такой же, как и на широкозонной поверхности, где они возбуждаются. Основные закономерности спинового эха экспериментально изучены методом поляризованной фотолюминесценции в варизонных структурах p-GaAlAs. Показано качественное и количественное согласие эксперимента с теорией.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.