"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии РЗЭ на свойства объемных монокристаллов InP
Байрамов Б.Х., Захаренков Л.Ф., Ильменков Г.В., Мастеров В.Ф., Топоров В.В.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

В настоящей работе приводятся результаты исследования комбинационного рассеяния света связанными продольными плазмон-фононными колебаниями. Получена информация о концентрации и подвижности свободных носителей заряда в монокристаллах InP, легированных РЗЭ. Результаты позволяют сделать вывод о том, что "очистка" материала происходит в процессе роста кристалла, а введение РЗЭ необходимо проводить в процессе синтеза поликристаллического материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.