"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в p-Si<Ge>
Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Цикунов А.В.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Изучалось влияние примеси германия на образование и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов (РД) в выращенном методом Чохральского монокристаллическом кремнии p-типа (rho= 10 Ом·см). Результаты получены из анализа температурных зависимостей концентрации основных носителей заряда в контрольных и легированных германием до концентрации ~=5·1018 см-3 кристаллах на различных этапах облучения gamma-квантами 60Со и последующего изохронного отжига. Установлено, что при облучении образуются два РД с близкими уровнями [Ev+ (0.31±0.02) и =< Ev+0.35 эВ], различающиеся температурой отжига, а соотношение между их концентрациями зависит от наличия германия в кристаллах, Предполагается, что первыми из них являются комплексы углерод--кислород--дивакансия, а вторыми --- междоузельный углерод--междоузельный кислород. Особенности накопления и отжига этих РД в p-Si<Ge> объяснены с учетом влияния создаваемых атомами германия упругих напряжений на локализацию в кристаллах примесей углерода и кислорода, диффузию первичных РД при облучении и энергию активации отжига РД.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.