"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полевые фототранзисторы с p-n-переходом на основе Pb0.78Sn0.22Te
Абрамян Ю.А., Папазян К.З.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Приведены результаты по изготовлению и исследованию полевых фототранзисторов с p-n-переходом на основе Pb0.78Sn0.22Te. Показана возможность получения высокочувствительных фотоприемников в режиме с изолированным затвором. Полученные результаты можно объяснить при одновременном учете фотовольтаического эффекта и фотопроводимости канала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.