"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si-Ge
Атабаев И.Г., Баграев Н.Т., Машков В.А., Саидов М.С., Сирожов У., Юсупов А.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Исследованы процессы тушения и регенерации фотопроводимости в твердых растворах Si-Ge, содержащих центры Аu0 и донорно-акцепторные пары Р+-Аи-. Полученные результаты объясняются в рамках модели глубокого центра с локальной отрицательной корреляционной энергией, туннелирующего при перезарядке между позициями off-центра и узлом решетки. Показано, что тушение и регенерация фотопроводимости определяются пиннингом уровня Ферми вблизи поверхности кристалла и динамикой туннелирования центров золота, которая в условиях внешнего и внутреннего электрических полей зависит от величины штарк-эффекта на глубоком дефекте.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.