"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование диффузии свободных экситонов в 3C-SiC-светодиодах
Авраменко С.Ф., Киселев В.С., Махлин А.Н.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Проведено теоретическое исследование характеристик потока свободных экситонов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными, полученными при измерении характеристик электролюминесценции в кубическом карбиде кремния. Оценена длина диффузионного смещения свободных экситонов при температуре 293 K L~(3/6)·10-5 м.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.