"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках
Картавых А.В., Юрова Е.С., Мильвидский М.Г., Гришина С.П., Ковальчук И.А.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Исследованы закономерности поведения центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs, выращенных с разным отклонением от стехиометрического состава при термообработке в режимах, близких к постимплантационному отжигу. Обнаружено существенное влияние отклонения от стехиометрии и легирования индием на однородность распределения центров EL2 в объеме монокристаллов и их термостабильность. Выявлены закономерные изменения концентрации центров EL2 и повышение однородности их распределения в результате термообработки. Обсуждается природа наблюдаемых явлений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.