"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства кремниевых p-n-переходов в сильных СВЧ полях
Аблязимова Н.А., Вейнгер А.И., Питанов В.С.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Изучены вольтамперные характеристики (ВАХ) кремниевых p-n-переходов в сильных СВЧ полях. Оказалось, что изменение ВАХ этих p-n-переходов наблюдается уже в относительно слабых полях, когда рост температуры носителей заряда еще не заметен. Исследовано поведение коэффициента неидеальности, тока короткого замыкания Iкз от напряжения холостого хода Uxx в этих условиях. По зависимости Iкз обратной температуры носителей заряда определена высота барьера, который необходимо преодолеть носителям для рекомбинации. Рост Uxx не согласуется с изменением температуры носителей заряда. Обсуждены возможные механизмы возникновения ЭДС в кремниевых p-n-переходах в сильных СВЧ полях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.