"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-Ge1-xSix
Орлов Л.К., Кузнецов О.А.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Обсуждаются перспективы и преимущества использования сверхрешеток (CP) на основе Ge и его твердых растворов с Si для создания фотоприемников ближнего ИК диапазона частот для волоконно-оптических линий связи. Экспериментально исследован вид спектральных характеристик фотоотклика структур, выращенных гидридным методом и содержащих анизотипный гетеропереход p-CP (Ge-Ge1-xSix)/n-Ge. Обнаружено, что гетероструктуры с классической CP по сравнению с отдельным гетеропереходом, образованным слоем твердого раствора Ge1-ySiy и Ge-подложкой, имеют при x=<sssim y более широкую полосу фоточувствительности, расширенную в коротковолновую область спектра. Ширина спектральной полосы уменьшается с увеличением туннельной прозрачности барьеров структуры. Проанализированы различные механизмы разделения зарядов в объеме CP, объясняющие данный эффект. Рассмотрено влияние тонкого (0.1/0.3 мкм) надслоя Ge на вид спектральных кривых.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.