"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
N-образность ВАХ кремниевых p-n-переходов в сильных СВЧ полях
Вейнгер А.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Исследованы закономерности появления N-образного участка на ВАХ кремниевых p-n-переходов, помещенных в сильное СВЧ поле, когда они становятся источниками термоэдс. Оказалось, что ВАХ становятся N-образными уже в относительно слабых полях, и с ростом СВЧ поля излом на ВАХ происходит при больших токах и больших ЭДС. Увеличение сопротивления нагрузки смещает точку излома ВАХ в область меньших токов и больших ЭДС. Предложен механизм возникновения N-образности ВАХ, который состоит в том, что при больших токах приграничная концентрация инжектированных носителей заряда начинает самопроизвольно нарастать, что и приводит к уменьшению термоэдс и тока в цепи. Расчет показал, что такая неустойчивость возникает, когда нагрузочное сопротивление становится больше дифференциального сопротивления p-n-перехода. Результаты расчета подтверждаются данными экспериментальных исследований.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.