"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Энергетический спектр локализованных D-состояний в легированных образцах a-Si : Н
Балагуров Л.А., Омельяновский Э.М., Примбетов К.К., Стариков М.Н.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Исследовались зависимости энергии активации равновесной проводимости varepsilonsigma, времен жизни электронов и дырок в a-Si : Н от уровня легирования. Параметры распределения rho(varepsilon) плотности локализованных D-состояний, образованных оборванными связями кремния, определены с учетом изменения при легировании плотности оборванных связей кремния. Показано, что с увеличением концентрации вводимой примеси растет амплитуда rho(varepsilon), а полуширина и энергетическое положение пиков плотности D-состояний остаются по существу теми же, что и в нелегированном a-Si : Н.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.