"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar+
Артамонов В.В., Валах М.Я., Лисица М.П., Литовченко В.Г., Романюк Б.Н., Рудской И.В., Стрельчук В.В.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Обнаружен и исследован "эффект больших доз" при имплантации ионов Аr+ в монокристаллический кремний. С использованием метода комбинационного рассеяния света показано, что стандартный процесс структурного разупорядочения с ростом дозы имплантации сменяется обратным эффектом восстановления структурного совершенства, сопровождающегося ростом растягивающего напряжения в приповерхностной области кристалла. Обнаружена зависимость эффекта от электронной системы исследуемого образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.