"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный туннельный ток через контакт металл--полупроводник
Райх М.Э., Рузин И.М., Шкловский Б.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Рассмотрено прохождение тока через контакт металл--полупроводник, в котором область объемного заряда является сильно компенсированной. Кроме того, предполагается, что в запрещенной зоне полупроводника имеются локализованные состояния. Сильная компенсация приводит к флуктуационным сужениям барьера, через которые протекает основной ток. Наличие локализованных состояний также облегчает подбарьерное движение электрона, поскольку оно может осуществляться короткими прыжками по этим состояниям. Рассмотрено совместное действие обоих механизмов и получено выражение для логарифма тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.