Экспериментально показано, что наблюдаемое различие спектров люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении не является следствием зависимости механизмов рекомбинации от способа возбуждения, а связано с самопоглощением люминесценции в толще структуры. При этом также установлено, что областью генерации электролюминесценции в светодиодных структурах из GaAs(Si) с концентрацией кремния ~ 3· 10¹⁸ см^-3 является p-область в 3/12 мкм от p-n-перехода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.