Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs
Выставление онлайн: 19 сентября 1988 г.
В интервале температур 2=<sssim T=<sssim100 K проведены исследования проводимости и отрицательного магнитосопротивления (ОМС) двумерного электронного газа (2МЭГ) на гетерогранице AlGaAs/GaAs, в том числе в условиях частичного снятия вырождения 2МЭГ и в условиях замороженной фотопроводимости. На основе анализа ОМС определены величина и зависимость от температуры времени релаксации фазы волновой функции электрона tauvarphi. Показано, что эти данные и температурная зависимость проводимости в магнитном поле H=1.5 кГс и при H=0 согласуются между собой в рамках теории квантовых поправок, что позволило определить константы электрон-электронного взаимодействия. Показано также, что время определяется суммой двух вкладов с разной температурной зависимостью: tau-1varphi1~ T и tau-1varphi2~ T2. Исследование эффекта разогрева 2МЭГ в области температур; где tauvarphi~=tauvarphi2, позволило установить, что это время определяется электрон-электронными а не электрон-фононными (как в металлических пленках) взаимодействиями. Зависимости tauvarphi1 и tauvarphi2 от сопротивления и концентрации 2МЭГ согласуются с теоретическими представлениями о временах, определяемых электрон-электронным взаимодействием с малой (для tauvarphi1) и большой (для tauvarphi2) передачей импульса.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.