"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
Демишев С.В., Косичкин Ю.В., Ларчев В.И., Ляпин А.Г., Попова С.В., Скроцкая Г.Г., Случанко Н.Е.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

По временным и температурным зависимостям удельного сопротивления у объемных образцов alpha-GaSb определена температура кристаллизации Tc=340 K и впервые рассчитана энергия активации роста кристаллитов Delta E= 116 кДж/моль. Проведено сопоставление полученных результатов с данными дифференциального термического анализа. Исследованы процессы структурной релаксации; показано, что наряду со специфическими особенностями релаксация аморфных образцов имеет общие черты с отжигом дефектов в кристаллическом образце.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.