По временным и температурным зависимостям удельного сопротивления у объемных образцов alpha-GaSb определена температура кристаллизации T_c=340 K и впервые рассчитана энергия активации роста кристаллитов Delta E= 116 кДж/моль. Проведено сопоставление полученных результатов с данными дифференциального термического анализа. Исследованы процессы структурной релаксации; показано, что наряду со специфическими особенностями релаксация аморфных образцов имеет общие черты с отжигом дефектов в кристаллическом образце.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.