"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Захват дырок на отрицательно заряженные атомы бора в легированном слабо компенсированном кремнии при низких температурах
Рыльков В.В.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

Исследовано влияние уровня легирования кремния на коэффициент захвата дырок alpha- отрицательно заряженными атомами бора при концентрациях бора Na=(1/ 7)·1016 см-3 и степени компенсации K=<sssim10-4. Показано, что при "высоких" температурах (T~=18 K) зависимость alpha-(Na) хорошо аппроксимируется линейной функцией alpha-=alpha-0+beta0Na с параметрами alpha-0~=3.9·10-6 см3/c и beta0~=8.3·10-22 см6/c, причем значение alpha-0 совпадает с коэффициентом захвата дырок на A--центры бора при малых Na. Предложен механизм увеличения alpha- с ростом Na, основанный на представлении о процессе захвата как локализации свободного носителя в кулоновском потенциале. При этом роль нейтральных центров, локализованных в области кулоновского потенциала, сводится к ускорению процесса "остывания" носителя, обусловленного неупругим его захватом на нейтральный центр с последующим термическим освобождением.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.