"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Динамическая релаксационная спектроскопия --- определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции
Веденеев А.С., Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Савостьянов А.В.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Предложен новый метод спектроскопии локализованных электронных состояний у границы раздела полупроводник--диэлектрик, основанный на модуляции темпа опустошения ловушек в процессе релаксации их заполнения путем периодического изменения температуры образца. По измеренным зависимостям медленно спадающей со временем и осциллирующей синхронно с температурой компонент разрядного тока можно одновременно определять спектральную плотность локализованных состояний и сечение захвата на них свободных носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.