"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs
Омельяновский Э.М., Пахомов А.В., Поляков А.Я., Говорков А.В., Бородина О.М., Брук А.С.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Исследованы профили пассивации атомарным водородом электрически и рекомбинационно активных центров в монокристаллическом GaAs методами масс-спектрометрии вторичных ионов (МСВИ) и микрокатодолюминесценции (МКЛ). Рассмотрено влияние на формирование профилей пассивации стехиометрии кристаллов, типа проводимости и концентрации свободных носителей заряда, а также температуры гидрогенизации. По данным МСВИ, у всех исследовавшихся образцов наблюдались профили одного вида, состоявшие из приповерхностной области (до 0.5 мкм) с высокой (до 1020 см-3) концентрацией водорода и низкой скоростью диффузии и "хвоста" диффузионного распределения с существенно большей скоростью диффузии. Для этой области в исследовавшемся интервале температур (200/500oС) определены энергия активации диффузии водорода в GaAs (0.83 эВ) и коэффициент диффузии D* (при 400oС D*=6.7·10-9 см2/с). Наблюдавшиеся в работе закономерности формирования профилей пассивации в GaAs, по мнению авторов, подтверждают известное предположение о миграции нейтрального межузельного водорода. Кроме того, в настоящей работе отмечено при введении атомарного водорода полное исчезновение неоднородности МКЛ, связанной с дислокациями в полуизолирующем GaAs. Таким образом, введение атомарного водорода является эффективным средством устранения неоднородности кристалла, связанной с перераспределением электрически и рекомбинационно активных центров вокруг протяженных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.