"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
Лончаков А.Т., Цидильковский И.М., Матвеев Г.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

На некомпенсированных кристаллах Ge : Sb и Ge : As с концентрациями электронов 3.5·1016-3.0·1018 см-3 в интервале температур 5=< T=<200 K измерены зависимости термоэдс alpha от температуры и поперечных размеров образцов. Для большинства образцов на кривых |alpha(T)| наблюдался максимум. Установлено, что температура максимума |alpha(T)| близка к температуре T0, разделяющей области сильного и слабого рассеяния электронов. Предложено объяснение причин возникновения максимума |alpha(T)|.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.