"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения и отжига на свойства кремния, легированного германием
Итальянцев А.Г., Курбаков А.И., Мордкович В.Н., Рубинова Э.Э., Темпер Э.М., Трунов В.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Исследовалось влияние облучения большими дозами нейтронов [(0.2/2)· 1019 см-2] и изохронного отжига (200-750oС) на оптические и структурные свойства Si, легированного Ge [концентрация Ge (0.5/3)·1020 см-3]. Показано, что присутствие Ge в Si (в особенности при больших концентрациях) замедляет генерацию дивакансий и изменяет характер их отжига, замедляет отжиг дефектов, ответственных за краевое поглощение и деформационный пик в облученном Si, замедляет генерацию суперкластеров, образующихся в результате облучения и отжига. Делается вывод, что упругие напряжения, возникающие в Si из-за присутствия атомов Ge, уменьшают концентрацию вакансий, возникающих при облучении в области каскада соударений, и способствуют накоплению междоузельных атомов в кристалле Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.