"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузия радиационных дефектов из области упругого торможения ионов фосфора в кремнии
Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н., Смирнов В.В., Чихрай Е.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Определены энергетические уровни и термическая устойчивость радиационных дефектов, возникающих за границей n-p-переходов, полученных имплантацией ионов фосфора в кремний p-типа. Предполагалось, что наблюдаемые на глубинах ~870 нм дефекты являются комплексами вакансий с атомами кислорода. Образование таких центров возможно вследствие диффузии вакансий из зоны генерации дефектов (20/25 нм) в объем материала с последующим захватом их атомами кислорода. Проведена оценка диффузионной длины вакансии L~=0.01 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.