"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение параметров рекомбинационных центров посредством дифференциального анализа температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда
Явид В.Ю.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Проанализированы возможности определения параметров рекомбинационных центров посредством дифференцирования температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда. Получены выражения, с помощью которых в рамках модели Шокли--Рида можно найти энергетическое положение уровней центров рекомбинации в запрещенной зоне, а также отношение коэффициентов захвата электронов и дырок на эти дефекты. Проведена апробация полученных выражений на примере нескольких известных центров в кремнии и германии. Показано, что дифференциальный анализ температурных зависимостей времени жизни существенным образом может повысить результативность обработки экспериментальных результатов, особенно когда процессы рекомбинации определяются несколькими типами дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.