"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (lambda=1.3 мкм) и InGaAsP/GaAs (lambda=0.85 мкм)
Гарбузов Д.З., Чалый В.П., Свелокузов А.Е., Халфин В.Б., Тер-Мартиросян А.Л.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Приводятся результаты исследования зависимостей квантовой эффективности (etae) от уровня фотовозбуждения (I) в двойных InGaAsP/InP- и InGaAsP/GaAs-гетероструктурах (ДГС) с толщиной активной области da=l50-900 Angstrem. При T=300 K обнаружено падение etae с повышением интенсивности накачки как в InGaAsP/InP ДГС, так и в InGaAsP/GaAs ДГС. Показано, что в исследованном диапазоне da зависимости etae=f(I) могут быть объяснены влиянием оже-рекомбинации, если принять, что соответствующие значения коэффициента оже-рекомбинации R составляют 2· 10-29 см6/с для InGaAsP/InP ДГС и 0.7·10-29 см6/с для InGaAsP/GaAs ДГС. При 77 K спад etae с увеличением уровня накачки наблюдался только в InGaAsP/InP-гетероструктурах. Анализ формы спектров краевого излучения исследованных в InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС показал, что при 77 K температура неравновесных носителей значительно выше решеточной. При толщине da=150 Angstrem и интенсивности накачки порядка 6· 103 A/см2 превышение составляет около 90 K для InGaAsP/GaAs-структуры и 130 K для InGaAsP/InP-структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.