"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
ЭПР связанных дырок в GaAs<Mn>
Мастеров В.Ф., Штельмах К.Ф., Барбашов М.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Приведены результаты исследования ЭПР кристаллов GaAs<Mn> и GaAs<Mn, Zn>. Показано, что спектры ЭПР с g=2.82 и 5.635 соответствуют разрешенным и запрещенным переходам центра Mn (3d5)+h, основным состоянием которого является триплет F=1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.