"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Синие SiC-6H-светодиоды
Вишневская Б.И., Дмитриев В.А., Коваленко И.Д., Коган Л.М., Морозенко Я.В., Родкин В.С., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Представлены электрические и электролюминесцентные характеристики и параметры светодиодов синего свечения, изготовленных на основе карбида кремния политипа 6H. p-n-Структуры изготавливались методом бесконтейнерной жидкостной эпитаксии на подложках n-SiC-6H; n-слой содержал азот, p-слой был легирован алюминием. p-n-Переход резкий, емкостное напряжение отсечки 2.6 В (293 K). Площадь p-n-перехода светодиодной меза-структуры порядка 10-3 см2. Свет выводился через n-подложку. Максимум спектра электролюминесценции расположен в синей области. Зависимость интенсивности люминесценции от тока близка к линейной. Внешний квантовый выход равен 10-4 (293 K) и уменьшается с ростом температуры. Сила света светодиодов с полушириной диаграммы направленности излучения 12o равна 2 мкд при токе 20 мА и 293 K (напряжение 3.4 В). Быстродействие светодиода порядка 1 мкс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.