"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция InAs в условиях магнитной инжекции
Малютенко В.К., Яблоновский Е.И., Савченко А.П., Билинец Ю.Ю., Кабаций В.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Представлены результаты экспериментального исследования рекомбинационной люминесценции p-InAs при "магнитной" инжекции носителей заряда в излучающую область кристалла (магнитоконцентрационный эффект). Такой способ "накачки" позволяет реализовать как положительную, так и отрицательную люминесценцию. Показано, что магнитная инжекция имеет существенные преимущества по сравнению со стандартным механизмом инжекции через p-n-переход и может быть рекомендована для практических целей. Помимо значительной мощности излучения в области пропускания атмосферного окна такой магнитосветодиод может служить источником негативного светового контраста.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.