"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
Веденеев А.С., Воронкова Г.И., Ждан А.Г., Коган Ш.М., Лифшиц Т.М., Рыльков В.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Рассмотрены пределы применимости классического метода, основанного на измерениях температурной зависимости коэффициента Холла, для определения концентраций мелких остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках. Установлены требования к точности измерений. Показано, что сочетание равновесных и неравновесных (с ИК подсветкой) измерений позволяет просто и с приемлемой точностью определять концентрации компенсирующих и сопутствующих примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.