"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
Копьев П.С., Кочерешко В.П., Уральцев И.Н., Яковлев Д.Р.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Особенности низкотемпературного примесного излучения, обусловленного зависимостью энергии связи мелкого акцептора от его местоположения в квантовой яме, исследованы по спектрам поляризованной люминесценции, возникающей в магнитном поле и при возбуждении циркулярно поляризованным светом структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Анализ спектров оптической ориентации электронов и поляризации дырок, связанных на акцепторах, в магнитном поле позволил построить распределение концентрации остаточной примеси (углерода) по профилю структуры с квантовыми ямами. Обнаружена зависимость g-фактора акцептора от его местоположения в квантовой яме.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.