"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аналитическая модель механизма электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах с туннельно-непрозрачными барьерами
Гергель В.А.1, Алтухов И.В.1, Верховцева А.В.1, Галиев Г.Б.2, Горшкова Н.М.1, Жигальцов С.С.1, Зеленый А.П.1, Ильичев Э.А.3, Минкин В.C.1, Папроцкий С.К.1, Якупов М.Н.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф.В. Лукина, Зеленоград, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Методами математического моделирования электропроводности мультибарьерных гетероструктур получены статические вольт-амперные характеристики, S-образность которых свидетельствует об электрической неустойчивости. С целью изучения ее динамических параметров с использованием известных приближений физики полупроводниковых приборов построена аналитическая модель исследуемой неустойчивости, которая в статическом варианте дает S-образную форму вольт-амперной характеристики, близкую к результатам численного моделирования. Этот факт рассматривается как подтверждение адекватности развитой аналитической модели, и последняя в малосигнальном варианте обобщена на ситуацию с гармоническим электрическим возмущением. Результирующая формула для частотной зависимости малосигнального импеданса свидетельствует о возможной отрицательности динамического сопротивления вплоть до терагерцовых частот. Предложена наглядная физическая интерпретация исследуемой неустойчивости в терминах положительной обратной связи в элементарной ячейке исследуемых мультибарьерных гетероструктур. Приведены также результаты измерений квазистационарных вольт-амперных характеристик изготовленных тестовых мультибарьерных структур GaAs/AlGaAs с ярко выраженным участком отрицательного дифференциального сопротивления.
  1. В.А. Гергель, А.П. Зеленый, М.Н. Якупов. ФТП, 41 (3), 325 (2007)
  2. В.А. Гергель, А.П. Зеленый, М.Н. Якупов. Радиотехника и электроника, 52 (7), 862 (2007)
  3. R. Stratton. Phys. Rev., 126 (6), 2002 (1962)
  4. Р.А. Сурис, В.А. Федирко. ФТП, 12 (6), 1060 (1978)
  5. М. Грундман. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения (пер. с англ. под ред. В.А. Гергеля), 2-е изд. (М., Физматлит, 2012)
  6. В.А. Гергель, А.В. Верховцева, Н.М. Горшкова, М.Н. Якупов. Радиотехника и электроника, 57 (4), 481 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.