Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование свойств границ раздела солнечных элементов на основе GaInP с помощью измерения спектральных характеристик с варьируемым потоком излучения
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Проведены исследования зонной структуры и свойств границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур GaInP/AlInP. Продемонстрирован эффект изменения зонной структуры на границе раздела p-AlInP, широкозонное окно p-GaInP, эмиттер, под воздействием излучения, приводящий к ситуации, когда спектральные характеристики солнечных элементов на основе GaInP зависят от интенсивности излучения. Разработана новая методика по оценке величин времени жизни неосновных носителей заряда в слое p-GaInP эмиттера и плотности поверхностных состояний на границе раздела широкозонное окно/эмиттер (p-AlInP/p-GaInP) на основе обнаруженного эффекта. Показано, что плотность поверхностных состояний на границе p-AlInP/p-GaInP находится в диапазоне 109-1011 см-2эВ-1.
- M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 21, 1 (2013)
- Ж.И, Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
- S.R. Kurtz, J.M. Olson, D.J. Friedman, J.F. Geisz, K.A. Bertness, A.E. Kibbler. In: Proc. Compound Semiconductor Surface Passivation and Novel Device Processing Symp., ed. by H. Hasegawa, M. Hong, Z.H. Lu, S.J. Pearton (Materials Research Society, Warrendale, 1999) p. 95
- A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Thin Sol. Films, 516, 6739 (2008)
- А.С. Гудовских, Н.А. Калюжный, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 43, 1403 (2009)
- J.M. Olson, R.K. Ahrenkiel, D.J. Dunlavy, B. Keyes, A.E. Kibbler. Appl. Phys. Lett., 55, 1208 (1989)
- M.D. Dawson, G. Duggan. Phys. Rev. B, 47, 12 598 (1993)
- M.D. Dawson, S.P. Najda, A.H. Kean, G. Duggan, D.J. Mowbray, O.P. Kowalski, M.S. Skolnick, M. Hopkinson. Phys. Rev. B, 50, 11 190 (1994)
- Y. Ishitani et al. J. Appl. Phys., 80, 4592 (1996)
- D. Vignaud, F. Mollot. J. Appl. Phys., 93, 384 (2003)
- C.T.H.F. Liedenbaum et al. Appl. Phys. Lett., 57, 2698 (1990)
- O. Dehaese, X. Wallart, O. Schuler, F. Mollot. J. Appl. Phys., 84, 2127 (1998)
- M.O. Watanabe, Y. Ohba. Appl. Phys. Lett., 50, 906 (1987)
- Z.C. Huang, C. FL Wiea, D.K. Johnstone, C.E. Stutz, K. FL Evans. J. Appl. Phys., 73, 4362 (1993)
- A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, R. Chouffot, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 165 307 (2009)
- R. Stangl, M. Kreigel, M. Schmidt. AFORS-HET. Proc. of the IEEE 4th World Conf. of Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006) v. 2, p. 1350
- I. Vurgaftmana, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- T. Suzuki, K. Kobayashi et al. Appl. Phys. Lett., 50, 673 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
