"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование свойств границ раздела солнечных элементов на основе GaInP с помощью измерения спектральных характеристик с варьируемым потоком излучения
Морозов И.А.1, Гудовских А.С.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Проведены исследования зонной структуры и свойств границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур GaInP/AlInP. Продемонстрирован эффект изменения зонной структуры на границе раздела p-AlInP, широкозонное окно p-GaInP, эмиттер, под воздействием излучения, приводящий к ситуации, когда спектральные характеристики солнечных элементов на основе GaInP зависят от интенсивности излучения. Разработана новая методика по оценке величин времени жизни неосновных носителей заряда в слое p-GaInP эмиттера и плотности поверхностных состояний на границе раздела широкозонное окно/эмиттер (p-AlInP/p-GaInP) на основе обнаруженного эффекта. Показано, что плотность поверхностных состояний на границе p-AlInP/p-GaInP находится в диапазоне 109-1011 см-2эВ-1.
  1. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 21, 1 (2013)
  2. Ж.И, Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
  3. S.R. Kurtz, J.M. Olson, D.J. Friedman, J.F. Geisz, K.A. Bertness, A.E. Kibbler. In: Proc. Compound Semiconductor Surface Passivation and Novel Device Processing Symp., ed. by H. Hasegawa, M. Hong, Z.H. Lu, S.J. Pearton (Materials Research Society, Warrendale, 1999) p. 95
  4. A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Thin Sol. Films, 516, 6739 (2008)
  5. А.С. Гудовских, Н.А. Калюжный, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 43, 1403 (2009)
  6. J.M. Olson, R.K. Ahrenkiel, D.J. Dunlavy, B. Keyes, A.E. Kibbler. Appl. Phys. Lett., 55, 1208 (1989)
  7. M.D. Dawson, G. Duggan. Phys. Rev. B, 47, 12 598 (1993)
  8. M.D. Dawson, S.P. Najda, A.H. Kean, G. Duggan, D.J. Mowbray, O.P. Kowalski, M.S. Skolnick, M. Hopkinson. Phys. Rev. B, 50, 11 190 (1994)
  9. Y. Ishitani et al. J. Appl. Phys., 80, 4592 (1996)
  10. D. Vignaud, F. Mollot. J. Appl. Phys., 93, 384 (2003)
  11. C.T.H.F. Liedenbaum et al. Appl. Phys. Lett., 57, 2698 (1990)
  12. O. Dehaese, X. Wallart, O. Schuler, F. Mollot. J. Appl. Phys., 84, 2127 (1998)
  13. M.O. Watanabe, Y. Ohba. Appl. Phys. Lett., 50, 906 (1987)
  14. Z.C. Huang, C. FL Wiea, D.K. Johnstone, C.E. Stutz, K. FL Evans. J. Appl. Phys., 73, 4362 (1993)
  15. A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, R. Chouffot, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 165 307 (2009)
  16. R. Stangl, M. Kreigel, M. Schmidt. AFORS-HET. Proc. of the IEEE 4th World Conf. of Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006) v. 2, p. 1350
  17. I. Vurgaftmana, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  18. T. Suzuki, K. Kobayashi et al. Appl. Phys. Lett., 50, 673 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.