"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетеропереходы собственный окисел p-GaSb(Ox)/n-GaSb: безвакуумный процесс и фотоэлектрические свойства
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Теруков Е.И.2, Ушакова Т.Н.2, Ильчук Г.А.3
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный университет "Львiвська полiтехнiка" Львов, Украина
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Предложена новая безвакуумная технология и впервые получены анизотипные фоточувствительные гетеропереходы собственный окисел одного из узкозонных полупроводников АIIIBV --- бинарного соединения p-GaSb(Ox)/n-GaSb. В основу развитого технологического процесса положено приповерхностное термическое взаимодействие кристалла GaSb c компонентами нормальной воздушной атмосферы земного шара. На основании проведенных в работе оригинальных физико-технологических исследований взаимодействия в системе GaSb/(воздушная среда земного шара) установлено, что полученные таким образом пленки собственного окисла p-GaSb(Ox) проявляют высокую адгезию по отношению к поверхности исходного антимонида галлия n-GaSb. В представленной работе впервые выполнены измерения стационарных вольтамперных характеристик и спектральных зависимостей относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных гетеропереходов p-GаSb(Ox)/n-GaSb, на основании которых обсуждаются закономерности токопереноса и фоточувствительности. В выполненной работе впервые обнаружена и реализована новая возможность применения процесса безвакуумного термического окисления пленок GaSb при создании фотодетекторов оптического излучения на подложках из гомогенных кристаллов антимонида галлия n-GaSb.
  1. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, N.N. Ledentsov. 1918--1998 Ioffe Institute. 1918--1998. Development and Research Activities (St. Petersburg, 1998) P. 285
  2. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, Н.С. Потапович, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев. ФТП, 47 (2), 273 (2013)
  3. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ Справочник, под ред. акад. РАН А.В. Новоселовой. М., Наука, 1979)
  4. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка 1975)
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Пер. с англ. под. академика РАН Р.А. Суриса. 2-е изд. перераб. и доп., (М., Мир, 1984)
  6. Т. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.