"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных автоволновым окислением
Тамбасов И.А.1,2, Мягков В.Г.1,2, Иваненко А.А.1, Быкова Л.Е.1, Ежикова Е.В.3, Максимов И.А.2, Иванов В.В.2
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2АО "Информационные спутниковые системы" им. акад. М.Ф. Решетнёва, Красноярск, Россия
3Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52% при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения: 15 Ом/с первые 30 с и 7 Ом/с в остальное время. Результаты ИК спектроскопии пленок оксида индия показали, что фотооблучение приводит к уменьшению на 2.4% коэффициента пропускания на длине волны 6.3 мкм. После прекращения облучения наблюдалось постепенное увеличение коэффициента пропускания со скоростью 0.006%/с. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения электрических и оптических свойств In2O3-пленок.
  1. A. Walsh, J.L.F. DaSilva, S.H. Wei, C. Korber, A. Klein, L.F.J. Piper, A. DeMasi, K.E. Smith, G. Panaccione, P. Torelli, D.J. Payne, A. Bourlange, R.G. Egdell. Phys. Rev. Lett., 100, 167 402 (2008)
  2. C.G. Granqvist. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 91, 1529 (2007)
  3. S.Y. Han, G.S. Herman, C.H. Chang. J. Am. Chem. Soc., 133, 5166 (2011)
  4. N. Katsarakis. J. Phys. Condens. Matter, 16, S3757 (2004)
  5. S. Jeong, J. Moon. J. Mater. Chem., 22, 1243 (2012)
  6. L. Wang, M.H. Yoon, G. Lu, Y. Yang, A. Facchetti, T.J. Marks. Nature Materials, 5, 893 (2006)
  7. E. Fortunato, P. Barquinha, R. Martins. Advanced Mater., 24, 2945 (2012)
  8. A. Bogorad, C. Bowman, R. Herschitz, W. Krummann, W. Hart. IEEE Tran. Nucl. Sci., 40, 1542 (1993)
  9. M.R. Ciofalo, M.E. Brady, C.J. Panetta, M.J. Meshishnek. J. Spac. Rockets., 48, 931 (2011)
  10. M.G. Kim, M.G. Kanatzidis, A. Facchetti, T.J. Marks. Nature Materials, 10, 382 (2011)
  11. R.M. Pasquarelli, D.S. Ginley, R. O'Hayre. Chem. Soc. Rev., 40, 5406 (2011)
  12. M.G. Kim, J.W. Hennek, H.S. Kim, M.G. Kanatzidis, A. Facchetti, T.J. Marks. J. Am. Chem. Soc., 134, 11 583 (2012)
  13. F.O. Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, H. Matsui, M. Motoyama. Appl. Phys. Lett., 74, 3059 (1999)
  14. L.G. Bloor, C.J. Carmalt, D. Pugh. Coord. Chem. Rev., 255, 1293 (2011)
  15. A. Klein, C. Korber, A. Wachau, F. Sauberlich, Y. Gassenbauer, R. Schafranek, S.P. Harvey, T.O. Mason. Thin Sol. Films, 518, 1197 (2009)
  16. M. Himmerlich, C.Y. Wang, V. Cimalla, O. Ambacher, S. Krischok. J. App. Phys., 111, 093 704 (2012)
  17. Y.H. Kim, J.S. Heo, T.H. Kim, S. Park, M.H. Yoon, J. Kim, M.S. Oh, G.R. Yi, Y.Y. Noh, S.K. Park. Nature, 489, 128 (2012)
  18. K.A. Sierros, D.R. Cairns, J.S. Abell, S.N. Kukureka. Thin Sol. Films, 518, 2623 (2010)
  19. И.А. Тамбасов, В.Г. Мягков, А.А. Иваненко, И.В. Немцев, Л.Е. Быкова, Г.Н. Бондаренко, Ю.Л. Михлин, И.А. Максимов, В.В. Иванов, С.В. Балашов, Д.С. Карпенко. ФТП, 47, 546 (2013)
  20. А.Г. Мержанов. Успехи химии, 72, 323 (2003)
  21. А.С. Рогачев. Успехи химии, 77, 22 (2008)
  22. X.M. Huang, C.F. Wu, H. Lu, F.F. Ren, Q.Y. Xu, H.L. Ou, R. Zhang, Y.D. Zheng. Appl. Phys. Lett., 100, 243 505 (2012)
  23. В.М. Иевлев, Т.Л. Тураева, А.Н. Латышев, А.А. Синельников, В.Н. Селиванов. ФММ, 103, 61 (2007)
  24. R. Ditchfield, D. Llera-Rodriguez, E.G. Seebauer. Phys. Rev. B, 61, 13 710 (2000)
  25. L. Qin, P.S. Dutta, S. Sawyer. Semicond. Sci. Technol., 27, 045 005 (2012)
  26. C.Y. Wang, V. Cimalla, T. Kups, C.C. Rohlig, H. Romanus, V. Lebedev, J. Pezoldt, T. Stauden, O. Ambacher. J. Appl. Phys., 102, 044 310 (2007)
  27. J. Olivier, B. Servet, M. Vergnolle, M. Mosca, G. Garry. Synth. Met., 122, 87 (2001)
  28. M. Bender, N. Katsarakis, E. Gagaoudakis, E. Hourdakis, E. Douloufakis, V. Cimalla, G. Kiriakidis. J. Appl. Phys., 90, 5382 (2001)
  29. G. Kiriakidis, K. Moschovis, I. Kortidis, V. Binas. Vacuum, 86, 495 (2012)
  30. T. Wagner, C.D. Kohl, S. Morandi, C. Malagu, N. Donato, M. Latino, G. Neri, M. Tiemann. Chem. Eur. J., 18, 8216 (2012)
  31. T. Wagner, J. Hennemann, C.D. Kohl, M. Tiemann. Thin Sol. Films, 520, 918 (2011)
  32. V. Brinzari, M. Ivanov, B.K. Cho, M. Kamei, G. Korotcenkov. Sensors Actuators B Chem., 148, 427 (2010)
  33. И.А. Журбина, О.И. Цетлин, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 45, 241 (2011)
  34. M.D. Losego, A.Y. Efremenko, C.L. Rhodes, M.G. Cerruti, S. Franzen, J.P. Maria. J. Appl. Phys., 106, 024 903 (2009)
  35. R.J. Mendelsberg, G. Garcia, D.J. Milliron. J. Appl. Phys., 111, 063 515 (2012)
  36. S.H. Brewer, S. Franzen. Chem. Phys., 300, 285 (2004)
  37. J.R. Bellingham, W.A. Phillips, C.J. Adkins. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 6207 (1990)
  38. Y. Muraoka, N. Takubo, Z. Hiroi. J. Appl. Phys., 105, 103 702 (2009)
  39. S. Lany, A. Zakutayev, T.O. Mason, J.F. Wager, K.R. Poeppelmeier, J.D. Perkins, J.J. Berry, D.S. Ginley, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 108, 016 802 (2012)
  40. P.D.C. King, T.D. Veal. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 334 214 (2011)
  41. G. Korotcenkov, M. Ivanov, I. Blinov, J.R. Stetter. Thin Sol. Films, 515, 3987 (2007)
  42. G. Korotcenkov, V. Brinzari, J.R. Stetter, I. Blinov, V. Blaja. Sensors Actuators B Chem., 128, 51 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.