"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства монокристаллов MnGa2S4 в переменном электрическом поле
Нифтиев Н.Н.1, Тагиев О.Б.2, Мурадов М.Б.3, Мамедов Ф.М.1
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 28 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Представлены результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь монокристаллов MnGa2S4 в переменном электрическом поле. Определены экспериментальные их значения. Возрастание диэлектрической проницаемости связано с увеличением концентрации дефектов с ростом температуры. При исследуемых температурах в области частот 435-500 кГц для varepsilon и tgdelta наблюдается резонансный пик. Установлено, что в частотном интервале 25-2·105 Гц тангенс угла диэлектрических потерь уменьшается обратно пропорционально с частотой (~ 1/omega).
  1. G. Medvedkin, Yu. Rud, M. Tairov. Phys. Status Solidi A, 111, 289 (1989)
  2. Q. Lu, K. Hu, K. Tank et al. Chem. Lett., 28, 481 (1999)
  3. A. Memo, W. Kwarteng-Acheampong, H. Haeuseler. Mater. Res. Bull., 38, 1057 (2003)
  4. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Письма ЖТФ, 10, 49 (2003)
  5. N.N. Niftiyev, O.B. Tagiev. Inorg. Mater., 39, 576 (2003)
  6. R. Sharma, A. Rastogi, S. Kohli et al. Physica B, 351, 45 (2004)
  7. C. Xiangying, Z. Zhongjie, Z. Xingta et al. J. Cryst. Growth, 277, 524 (2005)
  8. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Письма ЖТФ, 19, 72 (2005)
  9. S. Lei, K. Tang, Z. Fang, Y. Qi, H. Zheng. Mater. Res. Bull., 41, 2325 (2006)
  10. T. Torres, V. Sagredo, L.M. de Chalbaund, G. Attolini, F. Bolzoni. Phys. Condens. Matter., 384, 100 (2006)
  11. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 41, 17 (2007)
  12. И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1553 (2009)
  13. И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1549 (2009)
  14. И.В. Бондарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Д.В. Ложкин. ФТП, 45, 941 (2011)
  15. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Опт. и спектр., 112, 96 (2012)
  16. M.P. Pardo, M. Julien, S. Jaulmes. Compt. Rend. Acad. Sci., 277, 1021 (1973)
  17. M.P. Pardo, P.H. Fourcoy, J. Flahaut. Mater. Res. Bull., 10, 665 (1975)
  18. R. Rimet, K. Buder, C. Schlenker. Sol. St. Commun., 37, 693 (1981)
  19. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, А.Г. Рустамов. ФТП, 24, 758 (1990)
  20. N.N. Niftiyev. Intermetallics, 11, 975 (2003)
  21. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Изв. НАН Азерб., 26, 150 (2006)
  22. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 38, 164 (2004)
  23. П.Г. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (Высш. шк., 1977)
  24. Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (Высш. шк., 1980)
  25. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов, Ф.А. Казымова. Письма ЖТФ, 35, 79 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.