Вышедшие номера
Фоточувствительность структур с квантовыми ямами при нормальном падении излучения
Куликов В.Б.1, Чалый В.П.2
1Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "Циклон", Москва, Россия
2Закрытое акционерное общество "Светлана--Рост", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Представлены результаты исследований фоточувствительности при нормальном падении излучения структур с квантовыми ямами, выращенных методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии, но имеющих номинально одинаковую конструкцию. Установлено, что образцы, выращенные газофазным методом, имеют в этом случае более высокую чувствительность. Образцы же, выращенные методом молекулярной эпитаксии, более чувствительны к излучению, имеющему составляющую вектора электрического поля, перпендикулярную слоям структур с квантовыми ямами. На основе полученных результатов сделано предположение, что селективность фоточувствительности по отношению к поляризации излучения в образцах, выращенных газофазным методом, заметно подавляется. Среди наиболее вероятных причин указанного эффекта рассматривается возникновение на границах барьер-яма встроенного электрического поля, связанного с проникновением в барьеры примеси в процессе выращивания структур с квантовыми ямами.