Вышедшие номера
Ударная ионизация экситонов в монокристаллическом кремнии и ее влияние на концентрацию экситонов и люминесценцию в области края фундаментального поглощения
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

При высоком уровне инжекции исследовано влияние ударной ионизации экситонов свободными носителями заряда на концентрацию экситонов в монокристаллическом кремнии (c-Si) при комнатной температуре. При достаточно больших концентрациях свободных электронов (n) ударная ионизация экситонов доминирует над их термической ионизацией. При таких n эффект обусловливает значительно меньшие, чем без его учета, концентрации экситонов (nex), близкие к линейным, или линейные участки зависимостей nex(n) и зависимостей интенсивности краевой люминесценции c-Si от интенсивности ее возбуждения. Описанный метод вычислений nex может быть развит для других полупроводников и при других температурах.