Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ударная ионизация экситонов в монокристаллическом кремнии и ее влияние на концентрацию экситонов и люминесценцию в области края фундаментального поглощения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 4 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
При высоком уровне инжекции исследовано влияние ударной ионизации экситонов свободными носителями заряда на концентрацию экситонов в монокристаллическом кремнии (c-Si) при комнатной температуре. При достаточно больших концентрациях свободных электронов (n) ударная ионизация экситонов доминирует над их термической ионизацией. При таких n эффект обусловливает значительно меньшие, чем без его учета, концентрации экситонов (nex), близкие к линейным, или линейные участки зависимостей nex(n) и зависимостей интенсивности краевой люминесценции c-Si от интенсивности ее возбуждения. Описанный метод вычислений nex может быть развит для других полупроводников и при других температурах.
- M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
- Т. Ttupke, J. Zhao, A. Wong, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Letter., 82, 2996 (2003)
- А.М. Емельянов, Н.А. Соболев. ФТП, 42, 336 (2008)
- А.М. Емельянов, Н.А. Соболев. Письма ЖТФ, 34 (4), 64 (2008)
- Т. Trupke, R.A. Bardos, M.C. Schubert, W. Warta. Appl. Phys. Lett., 89, 044 107 (2006)
- R.A. Bardos, T. Trupke, M.C. Schubert, T. Roth. Appl. Phys. Lett., 88, 053 504 (2006)
- M.D. Abbott, J.E. Cotter, F.W. Chen, T. Trupke, R.A. Bardos, K.C. Fisher. J. Appl. Phys., 100, 114 514 (2006)
- D.H. Baek, S.B. Kim, D.K. Schroder. J. Appl. Phys., 104, 054 503 (2008)
- P. Wurfel, T. Trupke, T. Puzzer, E. Schaffer, W. Warta, S.W. Glunz. J. Appl. Phys., 101, 123 110, (2007)
- Takashi Fuyuki, Hayato Kondo, Yasue Kaji, Akiyoshi Ogane, Yu Takahashi. J. Appl. Phys., 101, 023 711 (2007)
- Tine Uberg N rland, Hallvard Angels K r, Martin Kikengen, Rune S nden, Erik Stensrud Marstein. J. Appl. Phys., 112, 033 703 (2012)
- Martin A. Green. Appl. Phys. Lett., 99, 131 112 (2011)
- R. Sugie, K. Inone, M. Yoshikawa. J. Appl. Phis., 112 (2012)
- А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 30 (22), 75 (2004)
- А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 35 (6), 9 (2009)
- А.М. Емельянов. ФТП, 44, 1170 (2010)
- D.E. Kane, R.M. Swanson. J. Appl. Phys., 73, 1193 (1993)
- А.М. Емельянов. ФТП, 47, 112 (2013)
- Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
- D.L. Smith, D.S. Pan, T.C. McGill. Phys. Rev. B, 12, 4360 (1975)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петербургский институт ядерной физики", 1977) гл. 1, с. 33
- Э.Л. Нолле. ФТТ, 9, 122 (1967)
- R. Corkish, D.S.-P. Chan, M.A. Green. J. Appl. Phys., 79, 195 (1996)
- A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko. Semicond. Phys. Quant. Electron. \& Optoelectron., 3 (2), 150 (2000)
- W. Bludau, A. Onton, W. Heinke. J. Appl. Phys., 45, 1846 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
