"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ударная ионизация экситонов в монокристаллическом кремнии и ее влияние на концентрацию экситонов и люминесценцию в области края фундаментального поглощения
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

При высоком уровне инжекции исследовано влияние ударной ионизации экситонов свободными носителями заряда на концентрацию экситонов в монокристаллическом кремнии (c-Si) при комнатной температуре. При достаточно больших концентрациях свободных электронов (n) ударная ионизация экситонов доминирует над их термической ионизацией. При таких n эффект обусловливает значительно меньшие, чем без его учета, концентрации экситонов (nex), близкие к линейным, или линейные участки зависимостей nex(n) и зависимостей интенсивности краевой люминесценции c-Si от интенсивности ее возбуждения. Описанный метод вычислений nex может быть развит для других полупроводников и при других температурах.
  1. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  2. Т. Ttupke, J. Zhao, A. Wong, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Letter., 82, 2996 (2003)
  3. А.М. Емельянов, Н.А. Соболев. ФТП, 42, 336 (2008)
  4. А.М. Емельянов, Н.А. Соболев. Письма ЖТФ, 34 (4), 64 (2008)
  5. Т. Trupke, R.A. Bardos, M.C. Schubert, W. Warta. Appl. Phys. Lett., 89, 044 107 (2006)
  6. R.A. Bardos, T. Trupke, M.C. Schubert, T. Roth. Appl. Phys. Lett., 88, 053 504 (2006)
  7. M.D. Abbott, J.E. Cotter, F.W. Chen, T. Trupke, R.A. Bardos, K.C. Fisher. J. Appl. Phys., 100, 114 514 (2006)
  8. D.H. Baek, S.B. Kim, D.K. Schroder. J. Appl. Phys., 104, 054 503 (2008)
  9. P. Wurfel, T. Trupke, T. Puzzer, E. Schaffer, W. Warta, S.W. Glunz. J. Appl. Phys., 101, 123 110, (2007)
  10. Takashi Fuyuki, Hayato Kondo, Yasue Kaji, Akiyoshi Ogane, Yu Takahashi. J. Appl. Phys., 101, 023 711 (2007)
  11. Tine Uberg N rland, Hallvard Angels K r, Martin Kikengen, Rune S nden, Erik Stensrud Marstein. J. Appl. Phys., 112, 033 703 (2012)
  12. Martin A. Green. Appl. Phys. Lett., 99, 131 112 (2011)
  13. R. Sugie, K. Inone, M. Yoshikawa. J. Appl. Phis., 112 (2012)
  14. А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 30 (22), 75 (2004)
  15. А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 35 (6), 9 (2009)
  16. А.М. Емельянов. ФТП, 44, 1170 (2010)
  17. D.E. Kane, R.M. Swanson. J. Appl. Phys., 73, 1193 (1993)
  18. А.М. Емельянов. ФТП, 47, 112 (2013)
  19. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  20. D.L. Smith, D.S. Pan, T.C. McGill. Phys. Rev. B, 12, 4360 (1975)
  21. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петербургский институт ядерной физики", 1977) гл. 1, с. 33
  22. Э.Л. Нолле. ФТТ, 9, 122 (1967)
  23. R. Corkish, D.S.-P. Chan, M.A. Green. J. Appl. Phys., 79, 195 (1996)
  24. A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko. Semicond. Phys. Quant. Electron. \& Optoelectron., 3 (2), 150 (2000)
  25. W. Bludau, A. Onton, W. Heinke. J. Appl. Phys., 45, 1846 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.