"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Массоперенос в приповерхностных слоях GaAs под воздействием излучения миллиметровых волн малой мощности
Брянцева Т.А.1, Любченко Д.В.2, Любченко В.Е.1, Марков И.А.1, Марков Р.И.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
2Aalto University, P.O. Box, Espoo, Finland
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Проведено исследование процессов массопереноса по результатам химического анализа приповерхностных слоев арсенида галлия после облучения поверхности GaAs электромагнитными волнами малой мощности 13-25 мВт при частоте 75 ГГц. Показано, что под воздействием излучения изменяются электромеханические напряжения на поверхности GaAs и возникают процессы релаксации с участием массопереноса заряженных частиц. В результате облучения выпадают островки на основе раствора (Ga + As) или соединения GaAs и изменяется изгиб поверхности базисного GaAs. Массоперенос при этом определяется дрейфом заряженных частиц под воздействием электрического напряжения и скоростью поверхностной самодиффузии под действием механических напряжений.
  1. С.О. Гладков. Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства (М., Наука, 1999)
  2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  3. В.М. Фридкин. Современная кристаллография (М., Наука, 1979) т. 2
  4. G.A. Baraff, M. Schlater. Phys. Rev. Lett., 55 (21), 2340 (1985)
  5. H.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin, A. Miret. Phys. Rev. B, 34 (2), 1360 (1986)
  6. D.V. Lioutbchenko, T.A. Briantseva, Z.M. Lebedeva, I.A. Markov, A.V. Raisanen. Deffect and Diffuzion Forum, 194--199, 745 (2001)
  7. Т.А. Брянцева, М.А. Бобылев, З.М. Лебедева, Д.В. Любченко. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 78 (4), 42 (2012)
  8. Л.А. Шувалов, А.А. Урусовская, И.С. Желудев. Современная кристаллография (М., Наука, 1981) т. 4
  9. Ю.Г. Фролов. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы (М., Химия, 1982)
  10. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
  11. С.П. Яценко. Галлий. Взаимодействие с металлами (М., Наука, 1974)
  12. Физические величины. Справочник (М., Энергоатомиздат, 1991)
  13. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками, под ред. Дж.М. Поута, Г. Фоти, Д.К. Джекобсона (М., Машиностроение, 1987)
  14. Р. Кристи, А. Питти. Строение вещества: введение в современную физику (М., Наука, 1969)
  15. D.V. Lioubtchenko, T.A. Briantseva, Z.M. Lebedeva, T.J. Bullough. Def. Dif. Forum, 316--317, 89 (2011)
  16. Я.И. Френкель. Введение в теорию металлов, под ред. Вонсовского (Л., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.