Пленки PbTe и Pb_1-xSn_xTe, как нелегированные, так и легированные индием, исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Обнаружено, что поверхность пленок меняется в процессе записи спектров. Из сравнительного анализа полученных нами и литературных данных предположено, что пики при 90, 117 и 138 см^-1 связаны с комбинационным рассеянием света на выделениях теллура или оксида теллура. Установлено, что эти пики появляются в пленках Pb_1-xSn_xTe и в пленках PbTe только при легировании индием. Пик при 180 см^-1 наблюдается в спектрах всех образцов и не связан с плазмон-фононной модой, природа его до конца не ясна.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.