Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 1 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Экспериментально исследованы выходные параметры мощных лазерных диодов на длине волны 808 нм, изготовленных на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs и забракованных по результатам первоначальных измерений. Найдены методы восстановления их излучательных параметров до уровня лучших образцов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых явлений.
- J. Dekker, A. Tukiainen, N. Xiang, S. Orsila, M. Saarinen, M. Toivonen, M. Pessa, N. Tkachenko, H. Lemmetyinen. J. Appl. Phys., 86 (N 7), 3709 (1999)
- M.D. McCluskeya, N.M. Johnson. J. Vac. Sci. Technol. A, 17 (4), 2188 (1999)
- S.W. Bland. J. Mimila-Arroyo, Mod. Phys. Lett. B, 15, Issue 17--19, 585 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
