Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм
Безотосный В.В.1, Олещенко В.А.1, Чешев Е.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Экспериментально исследованы выходные параметры мощных лазерных диодов на длине волны 808 нм, изготовленных на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs и забракованных по результатам первоначальных измерений. Найдены методы восстановления их излучательных параметров до уровня лучших образцов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых явлений.
- J. Dekker, A. Tukiainen, N. Xiang, S. Orsila, M. Saarinen, M. Toivonen, M. Pessa, N. Tkachenko, H. Lemmetyinen. J. Appl. Phys., 86 (N 7), 3709 (1999)
- M.D. McCluskeya, N.M. Johnson. J. Vac. Sci. Technol. A, 17 (4), 2188 (1999)
- S.W. Bland. J. Mimila-Arroyo, Mod. Phys. Lett. B, 15, Issue 17--19, 585 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.