"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм
Безотосный В.В.1, Олещенко В.А.1, Чешев Е.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Экспериментально исследованы выходные параметры мощных лазерных диодов на длине волны 808 нм, изготовленных на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs и забракованных по результатам первоначальных измерений. Найдены методы восстановления их излучательных параметров до уровня лучших образцов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых явлений.
  1. J. Dekker, A. Tukiainen, N. Xiang, S. Orsila, M. Saarinen, M. Toivonen, M. Pessa, N. Tkachenko, H. Lemmetyinen. J. Appl. Phys., 86 (N 7), 3709 (1999)
  2. M.D. McCluskeya, N.M. Johnson. J. Vac. Sci. Technol. A, 17 (4), 2188 (1999)
  3. S.W. Bland. J. Mimila-Arroyo, Mod. Phys. Lett. B, 15, Issue 17--19, 585 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.