Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
Коняев В.П.1, Мармалюк А.А.1, Ладугин М.А.1, Багаев Т.А.1, Зверков М.В.1, Кричевский В.В.1, Падалица А.А.1, Сапожников С.М.1, Симаков В.А.1
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
В работе приведены результаты исследования одиночных лазерных диодов и решеток спектрального диапазона 900-1060 нм, изготовленных на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs. Показано, что использование эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs позволяет создавать лазерные излучатели с повышенной мощностью и яркостью, работающиe в режиме коротких импульсов. Приведены результаты исследований характеристик изготовленных из указанных гетероструктур решеток лазерных диодов (РЛД).
- J.Ch. Garcia, E. Rosencher, Ph. Collot, N. Laurent, J.L. Guyaux, B. Vinter, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 71, 3752 (1997)
- М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, А.В. Сухарев. Квант. электрон., 38 (11), 989 (2008)
- Е.И. Давыдова, М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, А.В. Сухарев, М.Б. Успенский. Квант. электрон., 39 (8), 723 (2009)
- Д.А. Винокуров, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, А.В. Сухарев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 44, 251 (2010)
- A.A. Мармалюк, Е.И. Давыдова, М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева, С.В. Петров, И.В. Сапожников, В.А. Симаков, М.Б. Успенский, И.В. Яроцкая, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 45, 528 (2011)
- Д.А. Винокуров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.В. Сухарев., И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов. ФТП, 43, 1253 (2009)
- П.Б. Булаев, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Д.Б. Никитин, А.В. Петровский, И.Д. Залевский, В.П. Коняев, В.В. Оськин, М.В. Зверков, В.А. Симаков, Г.М. Зверев. Квант. электрон., 32 (3), 213 (2002)
- C.O. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 38, 1477 (2004)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- J.R. Botha, A.W.R. Leitch. J. Electron. Mater., 29 (12), 1362 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.