"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Энергетические щели в плотности состояний буферного слоя графена на карбиде кремния: учет неоднородности связей слой-подложка
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

В диагональном приближении получены функция Грина и плотность состояний эпитаксиального графена, образованного на поверхности полупроводника. Подробно рассматривается буферный слой графена на карбиде кремния. Предполагается, что в буферном слое имеются два вида состояний, слабо и сильно связанные с субстратом. Показано, что если в плотности состояний буферного слоя имеет место энергетическая щель, то ее существование и ширина определяются состояниями слабой связи графен-подложка.
  1. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109 (2008)
  2. D.R. Cooper, B. D'Anjou, N. Ghattamaneni, B. Harack, M. Hilke, A. Horth, N. Majlis, M. Massicotte, L. Vandsburger, E. Whiteway, V. Yu. arXiv: 1110.6557
  3. Y.H. Wu, T. Yu, Z.X. Shen. J. Appl. Phys., 108, 071 301 (2010)
  4. J. Haas, W.A. de Heer, E.H. Conrad. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 323 202 (2008)
  5. Th. Seyller, A. Botswick, K.V. Emtsev, K. Horn, L. Ley, J.L. McChestney, T. Ohta, J.D. Riley, E. Rotenberg, F. Speck. Phys. Status Solidi B, 245 (7), 1436 (2008)
  6. C. Mathieu, N. Barret, J. Rault, Y.Y. Mi, B. Zhang, W.A. de Heer, C. Berger, F.H. Conrad, O. Renault. arXiv: 1104.1359
  7. N. Srivastava, G. He, Luxmi, R.M. Feenstra. Phys. Rev. B, 85, 041 404 (2012)
  8. S. Goler, C. Coletti, V. Pellegrini, K.V. Emtsev, U. Starke, F. Beltram, S. Heun. arXiv: 1111.4918
  9. T. Jayasekera, S. Xu, K.W. Kim, M.B. Nardelli. Phys. Rev. B, 84, 035 442 (2011)
  10. I. Deretzis, A. La Magna. arXiv: 1103.0839
  11. С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 37 (10), 64 (2011)
  12. С.Ю. Давыдов. ФТП, 47 (1), 97 (2012)
  13. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 54 (6), 1619 (2012)
  14. С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 39 (2), 7 (2013)
  15. F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13 (6), 2553 (1976)
  16. С.Ю. Давыдов. ЖТФ (в печати)
  17. A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)
  18. S. Kim, J. Ihm, H.J. Choi, Y.-W. Son. Phys. Rev. Lett., 100, 176 802 (2008)
  19. C. Riedl, C. Coletti, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Phys. Rev. Lett., 103, 246 804 (2009)
  20. J. Soltys, J. Piechota, M. Lopuszynski, S. Krukowski. arXiv: 1002.4717
  21. O. Pankratov, S. Hensel, M. Bockstedte. arXiv: 1009.2185
  22. B. Lee, S. Han, Y.-S. Kim. Phys. Rev. B, 81, 075 432 (2010)
  23. B. Huang, H.J. Xiang, S.-H. Wei. Phys. Rev. B, 83, 161 405(R) (2011)
  24. F. Speck, J. Jobst, F. From, M. Ostler, D. Waldmann, M. Hundhausen, H.B. Weber, Th. Seyller. arXiv: 1103.3997
  25. I. Deretzis, A. La Magna. arXiv: 1103.0839
  26. J. Rohrer, E. Ziambaras, P. Hyldgaard. arXiv: 1102.2111
  27. C.-H. Hsu, W.-H. Lin, V, Ozolins, F.-C. Chuang. Appl. Phys. Lett., 100, 063 115 (2012)
  28. P.W. Anderson. Phys. Rev., 124 (1), 41 (1961)
  29. Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел (М., Наука, 1967)
  30. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969)
  31. C. Persson, U. Lindefelt. Mater. Sci. Forum, 264-- 268, 275 (1998)
  32. N.T. Son, W.M. Chen, O. Kordina, A.O. Konstantinov, B. Monemar, E. Janzen, D.M. Hafman, D. Volm, M. Drecksler, R.K. Mever. Appl. Phys. Lett., 66 (9), 1074 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.