"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование рекомбинационных процессов неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия
Йодказис С., Пятраускас М., Нятикшис В., Утенко В.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

Представлены экспериментальные результаты измерений времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на полуизолирующих подложках из того же материала. ННЗ в приповерхностной зоне слоя создавались облучением образца ультракоротким (22 пс) импульсом света с длиной волны 0.53 мкм, получаемым с помощью АИ : Nd+3-лазера. Исследовались образцы с разной толщиной эпитаксиального слоя, изменявшегося травлением. Экспериментально полученное распределение времени жизни ННЗ по толщине эпитаксиального слоя сравнивалось с результатами численного моделирования. Наблюдаемое уменьшение времени жизни ННЗ в области слоя, прилегающего к подложке, объясняется проникновением из нее атомов хрома.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.