"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рост монокристаллического alpha-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N+ в нагретый кремний
Качурин Г.А., Тысченко И.В., Плотников А.Е., Попов В.П.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

Для создания структур "кремний-на-изоляторе" в кремний внедряли (7/ 8)· 1017 ионов N+ с энергией 135 кэВ. В отличие от обычного метода использованы плотности ионного тока j не более 3/ 5 мкА/см2, а подложки предварительно нагревались до Ti= 600/900oC. Показано, что с увеличением Ti выше 600oC структура верхнего слоя кремния существенно улучшается, и в результате постимплантационного отжига при 1100/1200oC в захороненном слое растет монокристаллический alpha-Si3N4, ориентированный матрицей. Отмечен эффект ионно-стимулированной кристаллизации нитрида при Ti>~= 700oC. Подчеркнуто, что использование малых j и предварительного нагрева подложки позволяет преодолеть основной недостаток изолирующих слоев Si3N4 --- переход в поликристаллическое состояние при отжиге.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.