"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs
Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Белич Т.В., Карпович И.А.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

Методами фотоэдс, фотопроводимости и эффекта поля установлено, что сульфидирование поверхности эпитаксиальных пленок InP и GaAs приводит к увеличению начального изгиба зон и уменьшению дрейфовой подвижности носителей заряда и времени релаксации поверхностного барьера. С уменьшением инерционности поверхностного барьера связано увеличение фоточувствительности пленок при модулированном освещении. Эффект сульфидирования в значительной мере обусловлен удалением оксидного слоя и сохраняется при длительном (несколько недель) хранении пленок на воздухе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.